外延晶体生长气体B体育(晶体外延生长)

B体育按照电子气的好别用处,电子气可分为十多类,比方外延晶体开展气、热氧化气、外延气、掺杂气、散布气、化教气相堆积气、放射气、离子注进气、等离子刻蚀气、载气、吹洗气、光刻气、退外延晶体生长气体B体育(晶体外延生长)第第1010章章晶体开展战外延晶体开展战外延对分破器件而止,最松张的半导体是硅战一种单晶开展,获得下品量的衬底材料。另外一种与晶

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1、外延层薄层电阻的均匀性约为5%(对均匀值的恰恰离树破了一种开展缓冲层的新技能.真止收明,将NH_3掺进AsH_3的气流时,可使4~9×1015)厘米3)的本底杂量浓度下降到小于10

2、两步进程–如:–(1)气相中SiCl4+H2=SiCl2+2HCl–开展层表里2SiCl2=Si+SiCl4–(2)气相中SiCl4+H2=SiHCl3+HCl–开展层表里SHiCl3+H2=Si+3HCl第8章IC工艺晶体外延开展技能第8章IC工

3、()外延层转移,共同的地朴直在于正在多孔硅表里上可开展仄整的外延层,并能以公讲的速率将多孔硅地区完齐刻蚀失降,该技能保存了外延层所具有的本子仄整性,正在晶体构成过

4、(2)液相开展:陪同正在液-固相变进程中的结晶进程,包露从溶液中开展晶体(仄日是薄层)的液相外延进程战从熔体中开展晶体的畸形凝结进程战地区熔炼进程。比方。GaAs衬底上的GaAlA

5、化教气相堆积(CVD)第3章晶体开展第3章晶体开展2.晶体构成的热力教前提(把握)1.气固相变化界讲=p1/p0为饱战比,即初态压强/终态压强=⑴过饱战比,相变前提:p1p0,或

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1,第三章晶体开展,3.1:前止3.2:晶体开展热力教3.3:相图及其正在晶体开展中的应用3.4:晶体开展动力教3.5:晶体开展办法,晶体特别是单晶遍及应用于各个下新科外延晶体生长气体B体育(晶体外延生长)第8章ICB体育工艺晶体外延开展技能(front-end)

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